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MBT3904DW1T1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MBT3904DW1T1G
廠商型號

MBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

102.68 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-15 16:02:00

MBT3904DW1T1G規(guī)格書詳情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin?off of our popular SOT?23/SOT?323 three?leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT?363 six?leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100?300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產品屬性

  • 型號:

    MBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
23+
SOIC
96000
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ON
2024
SOT363
10712
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
詢價
LRC/樂山
23+
NA
2860
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
ONN
1535+
4129
詢價
ON
23+
SOT-363
51000
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
ON
22+
SOT-363
1002000
只做原裝,公司現(xiàn)貨,提供一站式BOM配單服務!
詢價
ON/安森美
22+
SOT363
600000
原裝正品
詢價
ON
24+
SOT-363
56000
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
詢價
ON
589220
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ON
23+
SOT363
20000
詢價