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MJD210

ComplementaryPlasticPowerTransistors

ComplementaryPlasticPowerTransistors NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low?power,high?gainaudioamplifierapplications. Features ?Collector?EmitterSustainingVoltage?VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc ?HighDCCurrentGain?hFE

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD210

SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS

SILICONPOWERTRANSISTORS5AMPERES25VOLTS12.5WATTS MJD200NPN MJD210PNP NPN/PNPSiliconDPAKForSurfaceMountApplications ...designedforlowvoltage,low–power,high–gainaudioamplifierapplications. ?Collector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJD210

D-PAKforSurfaceMountApplications

D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?LowCollectorEmitterSaturationVoltage ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD210

ComplementaryPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD210

PNPSILICONDPAKFORSURFACEMOUNTAPPLICATIONS

■DESCRIPTION TheUTCMJD210isdesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. ■FEATURE *Collector-EmitterSustainingVoltage VCEO(SUS)=-25V(Min)@IC=-10mA *HighDCCurrentGain hFE=70(Min)@IC=-500mA =45(Min)@IC=-2A =10(Min)@

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MJD210

ComplementaryPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD210

PNPSILICONDPAKFORSURFACEMOUNTAPPLICATIONS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MJD210

iscSiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=-0.3V(Max.)@IC=-0.5A ?ComplementtotheNPNMJD200 ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Designedforlow

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD210

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-0.3V(Max)@IC=-0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD210G

ComplementaryPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MCT210M

  • 功能描述：

    晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 輸入類型：

    DC

  • 最大集電極/發(fā)射極電壓：

    70 V

  • 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：

    0.4 V

  • 絕緣電壓：

    5300 Vrms

  • 電流傳遞比：

    100 % to 200 %

  • 最大正向二極管電壓：

    1.65 V

  • 最大輸入二極管電流：

    60 mA

  • 最大集電極電流：

    100 mA

  • 最大功率耗散：

    100 mW

  • 最大工作溫度：

    + 110 C

  • 最小工作溫度：

    - 55 C

  • 封裝/箱體：

    DIP-4

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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Fairchild
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原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
更多MCT210M供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-24 14:02:00

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