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NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Musesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=60V,ID=3.0A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features ?SinglehostNICsolutionbyusingIntelE810-CAM2 ?Overlaynetworkssupport:VxLAN&NVGRE ?CPUoffload:TSO,LRO,GRO ?Jumboframesupport(9.6KB) ?CompatiblewithFWA-5070,FWA-6070Platform | ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國）有限公司 | ADVANTECH | ||
1or2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features ?1xIntelE810-CAM1orE810-CAM2 ?1or2portsQSFP28connector ?1xPCIex8,Gen4 ?CE/FCC,RoHScompliant | ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國）有限公司 | ADVANTECH | ||
NTE5906,NTE5907,NTE5980thruNTE6005SiliconPowerRectifierDiode,40Amp SiliconPowerRectifierDiode,40Amp Features: HighSurgeCurrentCapability HighVoltageAvailable DesignedforaWideRangeofApplications AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle | NTE NTE Electronics | NTE |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
射頻/高頻放大 （HF）_調(diào)幅 （AM）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
6
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
0.4W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
D-48
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
0.4
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
MD6003
- 制造商：
SEME-LAB
- 制造商全稱：
Seme LAB
- 功能描述：
COMPLEMENTARY DUAL
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA |
24+ |
CAN6 |
500 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
CAN6 |
500 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
CAN6 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
MOT |
24+ |
CAN6 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
CAN6 |
13000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
STARPOWER |
23+ |
MODULE |
10000 |
原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商 |
詢價(jià) | ||
STARPOWER |
22+ |
N/A |
5500 |
斯達(dá)半導(dǎo)全系列在售,支持終端生產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
SSOUSA |
23+ |
DIP6 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
SSOUSA |
19+ |
DIP6 |
16200 |
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià) |
詢價(jià) |
