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MDP16N50GTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDP16N50GTH

N-Channel MOSFET 500V, 16.0 A, 0.35(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDQ16N50G

N-ChannelMOSFET500V,16.5A,0.35(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDQ16N50GTH

N-ChannelMOSFET500V,16.5A,0.35(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDQ16N50GTP

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=16.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MDQ16N50GTP

N-ChannelMOSFET500V,16.5A,0.35(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MSF16N50

500VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MSW16N50

500VN-ChannelMOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MTV16N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTV16N50E

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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50000
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多MDP16N50GTH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-15 16:12:00

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