MDS1100分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MDS1100 |
| 參數(shù)屬性 | MDS1100 封裝/外殼為55TU-1；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 |
| 功能描述 | 1100 Watts, 50 Volts Pulsed Avionics at 1030 MHz |
| 封裝外殼 | 55TU-1 |
| 文件大小 |
104.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-20 17:57:00 |
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MDS1100規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The MDS1100 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems at 1030 MHz, with the pulse width and duty required for MODE-S applications. The device has gold thin-film metalization and emitter ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation
Device Dissipation @ 25°C1 8750 W
Maximum Voltage and Current
Collector to Base Voltage (BVces) 65 V
Emitter to Base Voltage (BVebo) 4.5 V
Collector Current (Ic) 100 A
Maximum Temperatures
Storage Temperature -65 to +200 °C
Operating Junction Temperature +200 °C
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MDS1100
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
1.03GHz
- 增益：
8.9dB
- 功率 - 最大值：
8750W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
55TU-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
55TU-1
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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