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MG250YD2YMS3中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MG250YD2YMS3
廠商型號

MG250YD2YMS3

功能描述

High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET

文件大小

567.01 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 11:10:00

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MG250YD2YMS3規(guī)格書詳情

Applications

? High-Power Switching

? Motor Controllers (including rail traction)

Features

(1) VDSS = 2200 V, ID = 250 A All SiC MOSFET Module(Low loss & High speed switching)

(2) Low stray inductance, low thermal resistance, maximum Tch= 150 , built in thermistor.

(3) Enhancement mode.

(4) Electrodes are isolated from metal base plate.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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