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MGD623N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MGD623N
廠商型號(hào)

MGD623N
參數(shù)屬性

MGD623N 封裝/外殼為T(mén)O-3P-3 整包；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 50A 150W TO3P
功能描述

IGBT
IGBT 600V 50A 150W TO3P
封裝外殼

TO-3P-3 整包
文件大小

233.96 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Sanken electric
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Sanken【三墾】

中文名稱

三墾電氣株式會(huì)社官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-13 11:06:00

MGD623N規(guī)格書(shū)詳情

MGD623N屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由三墾電氣株式會(huì)社制造生產(chǎn)的MGD623N晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MGD623N

  • 制造商：

    Sanken

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，50A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    75ns/300ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，50A，39 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 50A 150W TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
24+
N/A
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