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MJD200

D-PAKforSurfaceMountApplications

D-PAKforSurfaceMountApplications ?HighDCCurrentGain ?Built-inaDamperDiodeatE-C ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD200

ComplementaryPlasticPowerTransistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD200

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MJD200

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD200G

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MJD200RL

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MJD200RLG

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多MINI-200供應(yīng)商 更新時間2025-4-27 9:58:00

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