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MIXA61H1200ED分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

MIXA61H1200ED
廠商型號(hào)

MIXA61H1200ED
參數(shù)屬性

MIXA61H1200ED 封裝/外殼為E2；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2
功能描述

IGBT XPT Module
IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2
封裝外殼

E2
文件大小

418.77 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 17:18:00

MIXA61H1200ED規(guī)格書詳情

MIXA61H1200ED屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的MIXA61H1200ED晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MIXA61H1200ED

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    PT

  • 配置：

    全橋反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，55A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    E2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    E2

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 85A 290W E2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
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