MJ11030分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MJ11030 |
| 參數(shù)屬性 | MJ11030 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 |
| 功能描述 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
| 封裝外殼 | TO-204AE |
| 文件大小 |
84.48 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-14 18:14:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
MJ11030三極管、MJ11030晶體管、MJ11030晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
90V
- 最大電流允許值：
50A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
300W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
90
- htest：
999900
- atest：
50
- wtest：
300
MJ11030規(guī)格書詳情
High-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
Features
? High DC Current Gain - hFE = 1000 (Min) @ Ic = 25Adc
hFE = 400 (Min)@ Ic = 50 Adc
? Curves to 100 A (Pulsed)
? Diode Protection to Rated Ic
? Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistor
? Junction Temperature to + 200 °C
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MJ11030
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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