MJ11030G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
![MJ11030G](https://img.114ic.com/dgk/photos/On%20Semi%20Photos/488-TO-3,TO-204AA,SIDE.jpg)
廠商型號 |
MJ11030G |
參數(shù)屬性 | MJ11030G 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 90V 50A TO204 |
功能描述 | High-Current Complementary Silicon Power Transistors |
封裝外殼 | TO-204AE |
文件大小 |
121.71 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-14 22:30:00 |
MJ11030G規(guī)格書詳情
MJ11030G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJ11030G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
MJ11030G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
3.5V @ 500mA,50A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
2mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 25A,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-204(TO-3)
- 描述:
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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