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MJ15003G

Complementary Silicon Power Transistors

TheMJ15003andMJ15004arepowertransistorsdesignedforhighpoweraudio,diskheadpositionersandotherlinearapplications. Features ?HighSafeOperatingArea ?ForLowDistortionComplementaryDesigns ?HighDCCurrentGain ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant*

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJ15003_13

Complementary Silicon Power Transistors

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MJ15003G

Complementary Silicon Power Transistors

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MJ15003G

Package:TO-204AA,TO-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 140V 20A TO204

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晶體管資料

  • 型號:

    MJ15003

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    140V

  • 最大電流允許值:

    20A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDX50,2N3773,2SC2402,2SD552,2SD676A,3DD173C,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    140

  • htest:

    999900

  • atest:

    20

  • wtest:

    200

詳細參數(shù)

  • 型號:

    MJ15003

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 20A 140V 250W NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多MJ15003供應商 更新時間2025-4-9 17:10:00