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MJ15012G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJ15012G
廠商型號

MJ15012G

功能描述

Complementary Silicon Power Transistors

文件大小

61.77 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-16 16:42:00

MJ15012G規(guī)格書詳情

MJ15011(NPN,

MJ15012(PNP)

10 AMPERE COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS 250 VOLTS 200 WATTS

The MJ15011 and MJ15012 are PowerBase power transistors designed for high?power audio, disk head positioners, and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc?to?dc converters or inverters.

? High Safe Operating Area (100 Tested) 1.2 A @ 100 V

? Completely Characterized for Linear Operation

? High DC Current Gain and Low Saturation Voltage hFE = 20 (Min) @ 2 A, 2 V

VCE(sat) = 2.5 V (Max) @ IC = 4 A, IB = 0.4 A

? For Low Distortion Complementary Designs

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MJ15012G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 10A 250V 200W PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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