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MJ21196

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

SiliconPowerTransistors TheMJ21195andMJ21196utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. Features ?TotalHarmonicDistortionCharacterized ?HighDCCurrentGain?hFE=25Min@IC=8Ad

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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Silicon Power Transistors

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Silicon Power Transistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MJ21196

Silicon Power Transistors 16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON

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MJ21196G

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Silicon Power Transistors 16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON

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MJ21196G

Package:TO-204AA,TO-3;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:TRANS NPN 250V 16A TO204

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COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W TheMJL21195andMJL21196utilizePerforatedEmittertechnologyandarespecificallydesignedforhighpoweraudiooutput,diskheadpositionersandlinearapplications. ?TotalHarmonicDistortionCharacterized ?HighDCCur

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16ACOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS250V,200W

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MJ21196

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 16A 250V 250W NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
24+
8866
詢價(jià)
ONSEMICONDU
24+
原廠封裝
1950
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
ON
1738+
TO-3
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
詢價(jià)
MOT/ON
專業(yè)鐵帽
TO-3
800
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨
詢價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價(jià)
MOT/ON
專業(yè)鐵帽
TO-3
67500
鐵帽原裝主營-可開原型號(hào)增稅票
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-3P
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-3P
30
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
ONN
1535+
233
詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO-3P
50000
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢
詢價(jià)
更多MJ21196供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-3 15:30:00