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MJD112G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD112G
廠商型號

MJD112G

參數屬性

MJD112G 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

功能描述

Complementary Darlington Power Transistors
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

101.63 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-14 18:06:00

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MJD112G規(guī)格書詳情

MJD112G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJD112G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJD112G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現貨
詢價
ONSEMI/安森美
25+
SOT252
860000
明嘉萊只做原裝正品現貨
詢價
ON/安森美
23+
TSSOP
10000
原裝進口只做訂貨 尋找優(yōu)勢渠道合作
詢價
ON(安森美)
23+
TO-252-3
10701
公司只做原裝正品,假一賠十
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ON
2016+
TO252
6528
只做進口原裝現貨!假一賠十!
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onsemi
24+
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
詢價
ON
24+
DPAK-3
25000
ON全系列可訂貨
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ONSEMI
21+
DPAK
6789
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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2025+
TO252
3625
全新原廠原裝產品、公司現貨銷售
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三年內
1983
只做原裝正品
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