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MJD3055G

Complementary Power Transistors

ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“?1”Suff

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD3055G

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD3055G

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD3055G

Complementary Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJD3055G

Package:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝:托盤 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MJE3055

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJE3055Tisasiliconepitaxial-baseNPNtransistorinJedecTO-220package.Itisintendedforpowerswitchingcircuitsandgeneral-purposeamplifiers.ThecomplementaryPNPtypeisMJE2955T. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

MJE3055

10AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60VOLTS75WATTS

ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingapplications. ?DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes ?HighCurrentGain—BandwidthProduct— fT=2.0MHz(Min)@IC=500mAdc

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MJE3055

GeneralPurposeandSwitchingApplications

GeneralPurposeandSwitchingApplications ?DCCurrentGainSpecifiedtoIC=10A ?HighCurrentGain-BandwidthProduct:fT=2MHz(Min.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MJE3055

NPN(GENERALPURPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

GENERALPUPOSEANDSWITCHINGAPPLICATIONS DCCURRENTGAINSPECIFIEDTO10AMPERES HighCurrentGain-BandwidthProduct(fT=25°C)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

MJE3055

SILICONEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION Complementary,highpowertransistorsinaplasticenvelope,primarilyforuseinaudioandgeneralpurpose

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

產品屬性

  • 產品編號:

    MJD3055G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    2MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 10A DPAK

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MJD3055G供應商 更新時間2025-3-16 16:36:00