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MJD41C-252

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A ·ComplementtoTypeMJD42C APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KSH41C-252

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.5V(Max)@IC=6A APPLICATIONS ·Generalpurposeamplifier ·Lowspeedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多MJD41C-252供應商 更新時間2025-3-28 13:58:00

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