MJD44E3分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MJD44E3 |
| 參數屬性 | MJD44E3 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 封裝外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
309.33 Kbytes |
| 頁面數量 |
2 頁 |
| 生產廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
| 中文名稱 | 無錫固電半導體股份有限公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-21 18:25:00 |
| 人工找貨 | MJD44E3價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
MJD44E3規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
·High DC Current Gain
: hFE = 1000(Min)@ IC= 5A
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 5A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amplifier and low-speed
switching applications
產品屬性
- 產品編號：
MJD44E3T4G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
2V @ 20mA，10A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應商器件封裝：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1950+ |
TO252 |
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