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MJD6039分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD6039
廠商型號

MJD6039

參數(shù)屬性

MJD6039 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

220.02 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-15 9:54:00

晶體管資料

  • 型號:

    MJD6039(-1,T4)

  • 別名:

    MJD6039三極管、MJD6039晶體管、MJD6039晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    4A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    A-80

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    20

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD6039T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 8mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 2A,4V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
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