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MJE10B3中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MJE10B3
廠商型號(hào)

MJE10B3

功能描述

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

文件大小

144.93 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-7 15:17:00

MJE10B3規(guī)格書詳情

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

Designed for use in driver and output stages in complementary audio amplifier applications.

? High DC Current Gain -

hFE = 750 (Win) @ IC = 30 and 40 Adc

? True Three Lead Monolithic Construction —Emitter-Base Resistors

to Prevent Leakage Multiplication are Built in.

? Available in Two Packages - Case 90 or Case 199

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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