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DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt?inBase?EmitterResistorsto LimitLeakage?Multiplication ?ChoiceofPackages?M | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication ?ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?Collector–EmitterBreakdownVoltage—:V(BR)CEO=-60V ?DCCurrentGain—:hFE=750(Min)@IC=-1.5A ?ComplementtoTypeMJE800T APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc ?MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication ?ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Package：TO-225AA，TO-126-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126-3 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>1MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD262,BD678,BD778,FC50B,2N6035,2N6036,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
60
- htest：
1000100
- atest：
4
- wtest：
40
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
MJE700
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 4A 60V Bipolar
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-126 |
1259 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
24+ |
5600 |
詢價(jià) | |||||
ON |
16+ |
TO-126 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
2020+ |
TO126F |
4500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
ON |
2020+ |
TO-126 |
350000 |
100%進(jìn)口原裝正品公司現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ON/ST |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-126 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHI |
2020+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
FAIRC |
24+ |
TO-126 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) |
