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MJE802G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE802G
廠商型號

MJE802G

參數(shù)屬性

MJE802G 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

功能描述

Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

140.21 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-5 10:36:00

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MJE802G規(guī)格書詳情

MJE802G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJE802G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

These devices are designed for general?purpose amplifier and low?speed switching applications.

Features

? High DC Current Gain ? hFE

= 2000 (Typ) @ IC

= 2.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?in Base?Emitter Resistors to

Limit Leakage ? Multiplication

? Choice of Packages ? MJE700 and MJE800 Series

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MJE802G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    2.5V @ 30mA,1.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
2021/2022+
標準封裝
8000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價
ON進口原裝
21+
TO-126
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
ON
23+
TO-126
4000
正品原裝貨價格低
詢價
ON
24+
原廠封裝
65250
支持樣品,原裝現(xiàn)貨,提供技術(shù)支持!
詢價
ON/安森美
25+
TO-225
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
ON/安森美
2021+
TO-225
7600
原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價
詢價
ONSEMI/安森美
24+
TO225
49300
只做全新原裝進口現(xiàn)貨
詢價
ON
24+
TO225
18000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
詢價
onsemi(安森美)
24+
TO-225
10000
只做原裝 假一賠萬
詢價
ON Semiconductor
2010+
N/A
1710
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