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MJF122G分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJF122G
廠商型號

MJF122G

參數屬性

MJF122G 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 5.0 A, 100 V, 30 W
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

155.91 Kbytes

頁面數量

7

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-3-13 23:00:00

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MJF122G規(guī)格書詳情

MJF122G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由安森美半導體公司制造生產的MJF122G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

Complementary Power Darlingtons

For Isolated Package Applications

Designed for general?purpose amplifiers and switching applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis.

Features

? Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127

? 100 VCEO(sus)

? 5.0 A Rated Collector Current

? No Isolating Washers Required

? Reduced System Cost

? High DC Current Gain ?2000 (Min) @ IC= 3 Adc

? UL Recognized, File #E69369, to 3500 VRMSIsolation

? Pb?Free Packages are Available*

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MJF122G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3.5V @ 20mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 3A,3V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-220FP

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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