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NTE5811

SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4

Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable

NTE

NTE Electronics

NTE5811

SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4

Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable

NTE

NTE Electronics

NTE5811

SiliconPowerRectifierDiode,12Amp

Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable

NTE

NTE Electronics

NTTFS5811NL

PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTTFS5811NLTAG

PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTTFS5811NLTWG

PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NL

PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint

MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NL

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NLTAG

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVTFS5811NLTAG

PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint

MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MK5811C

  • 功能描述：

    時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 SPREAD SPECTRUM CLOCK SYNTHESIZER

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Silicon Labs

  • 類型：

    Clock Generators

  • 最大輸入頻率：

    14.318 MHz

  • 最大輸出頻率：

    166 MHz

  • 輸出端數(shù)量：

    16 占空比 -

  • 最大：

    55 %

  • 工作電源電壓：

    3.3 V

  • 工作電源電流：

    1 mA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    QFN-56

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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8-SOIC
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更多MK5811C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 14:04:00

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