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MMBC1623L6

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MMBC1623L7

NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MMBC1623L7

AMPLIFIER TRANSISTOR

AMPLIFIERTRANSISTOR NPNSILICON

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMBC1626L6

NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIERTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MMBD1000LT1

Switching Diode

SwitchingDiode PartoftheGreenLinePortfolioofdeviceswithenergy–conservingtraits. Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: ?VeryLowLeakage(≤500pA)promotesextendedbatterylifebydecreasingenergywaste ?OfferedinfourSurfaceMountpackagetypes ?Availablein8mm

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMBD1005LT1

Switching Diode

PartoftheGreenLine?Portfolioofdeviceswithenergy–conservingtraits. Thisswitchingdiodehasthefollowingfeatures: ?VeryLowLeakage(≤500pA)promotesextendedbatterylifebydecreasingenergywaste.Guaranteedleakagelimitisforeachdiodeinthepaircontingentupontheotherdi

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMBD101

Schottky Barrier Diodes

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra-fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow-cost,high-volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. ?LowNoiseFigure—6.0dBTyp@1.0GHz ?VeryLow

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

MMBD101

Schottky Barrier Diode

Features ◇Lownoisefigure-6.0dB@1.0GHz ◇Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. ◇Verylowcapacitance–lessthan1.0pF@zerovolts. ◇Highforwardconductance-0.5volts(typ.)@IF=10mA. Applications ◇Highspeedswitching.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MMBD101

SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODES

DesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutsuitablealsoforuseindetectorandultra?fastswitchingcircuits.Suppliedinaninexpensiveplasticpackageforlow?cost,high?volumeconsumerrequirements.AlsoavailableinSurfaceMountpackage. Features ?LowNoiseFigure?6.0dBTyp@1

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBD101

SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE

SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE VOLTAGE7.0VoltsPOWER250mWatts FEATURES ?LowCapacitance,MinimizingInsertionLossesinVHFApplications ?LowVF:0.5V(Typ)atIF=10mA ?ExtremelyFastSwitchingSpeed ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    MMBA811C5

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_通用 （G）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.05A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

    2SA811C5,3CG120C,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.05

  • wtest：

    0.3

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MMB

  • 制造商：

    RUBYCON

  • 制造商全稱：

    RUBYCON CORPORATION

  • 功能描述：

    METALLIZED POLYESTER FILM CAPACITORS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多MMB供應(yīng)商 更新時間2025-4-23 13:58:00

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