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MMBD452分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MMBD452
廠商型號(hào)

MMBD452
參數(shù)屬性

MMBD452 封裝/外殼為T(mén)O-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為托盤(pán)；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻；產(chǎn)品描述：DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3
功能描述

Dual Hot-Carrier Diodes
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

155.59 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

BILIN【銀河微電】

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 10:36:00
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MMBD452規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

● Very low capacitance.

● Extremely low minority carrier lifetime.

● Low reverse leakage.

● Power dissipation Pd=225mW.

APPLICATIONS

● Designed primarily for UHF and VHF detector applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBD452LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 二極管類型：

    肖特基 - 1 對(duì)串聯(lián)

  • 電壓 - 峰值反向（最大值）：

    30V

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    1.5pF @ 15V，1MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C（TJ）

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
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