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MMBT2222LT3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT2222LT3G
廠商型號(hào)

MMBT2222LT3G

參數(shù)屬性

MMBT2222LT3G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistors NPN Silicon

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

85.96 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Comchip Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

COMCHIP典琦

中文名稱

典琦科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-25 14:26:00

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MMBT2222LT3G規(guī)格書詳情

General Purpose Transistors

NPN Silicon

Features

? Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBT2222LT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    250MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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