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MMBT2369A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT2369A
廠商型號

MMBT2369A

參數(shù)屬性

MMBT2369A 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

功能描述

NPN General Purpose Amplifier

絲印標(biāo)識

1JA

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

165.61 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-21 13:34:00

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MMBT2369A規(guī)格書詳情

FEATURES

● Epitaxial planar die construction.

● Ultra-small surface mount package.

APPLICATIONS

● Use as a medium power amplifier.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT2369A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    400nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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