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MMBT3904-Q

Marking：7A；Package：SOT23；40 V, 200 mA NPN switching transistor

1.Generaldescription NPNswitchingtransistorinasmallSOT23(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:MMBT3906 2.Featuresandbenefits ?CollectorcurrentcapabilityIC=200mA ?Collector-emittervoltageVCEO=40V ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101and

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

MMBT3904-AU

NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR

FEATURES ?NPNepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-emittervoltageVCE=40V ?CollectorcurrentIC=200mA ?TransitionfrequencyfT>300MHz@IC=10mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz ?Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 ?AEC-Q101qualified ?LeadfreeincomplywithEURoHS2002/9

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

MMBT3904BDW

40VMatchedPairNPNSmallSignalTransistors

FUTUREWAFER

FutureWafer Tech Co.,Ltd

MMBT3904-C

NPNPlasticEncapsulatedTransistor

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

MMBT3904DW

NPNSiliconGeneralPurposeDoubleTransistor

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風微電子廣東佑風微電子有限公司

MMBT3904DW

Epitaxialplanardieconstruction

YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd

亞昕科技亞昕科技股份有限公司

MMBT3904DW

SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES eEpitaxialplanardieconstruction eIdealforlowpoweramplificationandswitching

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

MMBT3904EF

Smallsignalapplication

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

MMBT3904FA

40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0806

Features ?BVCEO>40V ?IC=200mAhighCollectorCurrent ?PD=435mWPowerDissipation ?0.48mm2packagefootprint,16timessmallerthanSOT23 ?0.4mmheightpackageminimizingoff-boardprofile ?ComplementaryPNPTypeMMBT3906FA ?TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1

DIODES

Diodes Incorporated

MMBT3904FW

GeneralPurposeTransistor

FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

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更多MMBT3904_Q供應商 更新時間2025-4-30 15:32:00

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