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MMBT5550分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT5550
廠商型號

MMBT5550

參數屬性

MMBT5550 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

功能描述

NPN General Purpose Amplifier

絲印標識

M1F

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

170.67 Kbytes

頁面數量

4

生產廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀微電子股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-7 14:13:00

晶體管資料

  • 型號:

    MMBT5550

  • 別名:

    MMBT5550三極管、MMBT5550晶體管、MMBT5550晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_寬頻帶放大 (A)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    160V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數:

  • 可代換的型號:

    3DK104F,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數:

  • 圖片代號:

    NO

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.3

產品屬性

  • 產品編號:

    MMBT5550

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
2021+
SOT-23(SOT-23-3)
7600
原裝現貨,歡迎詢價
詢價
ON/安森美
21+
SOT-23(SOT-23-3)
8080
公司只做原裝,誠信經營
詢價
長電/長晶
2021
SOT-23
63000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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14+
SOT23
12000
原裝現貨價格有優(yōu)勢量大可以發(fā)貨
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66300
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CJ/長電
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SOT-23
30000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅發(fā)票
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23+
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