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MMBT589分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBT589
廠商型號

MMBT589
參數(shù)屬性

MMBT589 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
功能描述

PNP General Purpose Transistor
絲印標(biāo)識

589
封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

1.56936 Mbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

LUGUANG【魯光電子】

中文名稱

深圳市魯光電子科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-14 18:34:00

MMBT589規(guī)格書詳情

FEATURES

● Epitaxial planar die construction.

● Also available in lead free version.

APPLICATIONS

● High current surface mount PNP silicon switching transistor

for load management in portable appilications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT589LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    650mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 500mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CJ/長電/長晶
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SOT-23
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