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MMBTA63

PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching HighCurrentGain

TRSYS

Transys Electronics

MMBTA63

PNP (DARLINGTON TRANSISTOR)

DARLINGTONTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

MMBTA63

PNP Darlington Transistor

Features ?Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto800mA. ?SourcedfromProcess61.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBTA63

PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?HighCurrentGain ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)

DIODES

Diodes Incorporated

MMBTA63

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. DARLINGTONTRANSISTOR.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會(huì)社

MMBTA63

Marking：2U；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBTA13/MMBTA14). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

MMBTA63

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeapplication,darlingtontransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

MMBTA63

Marking：2U；Package：SOT-23；PNP Darlington Amplifier Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable (MMBTA13/MMBTA14). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MMBTA63

Marking：2U；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors PNPDarlingtonTransistor Forgeneralpurposeapplication,darlingtontransistor MARKINGCODE:A63:2U A64:2V

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

MMBTA63

PNP Darlington Transistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainat500mA. ?Marking:MMBTA63:2U MMBTA64:2V ?CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammability ClassificationRating94

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    MMBTA63

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BDV26,BDV46,PMBTA63,SMBTA63,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0.3

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBTA63

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 100μA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10000 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    125MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存
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百域芯原廠出品 品質(zhì)保證 可開(kāi)13點(diǎn)增值稅
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更多MMBTA63供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-21 11:50:00

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