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MMBTH10分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10
廠商型號

MMBTH10
參數(shù)屬性

MMBTH10 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
功能描述

Plastic-Encapsulate Transistors
絲印標識

3EM
封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

286.9 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 SHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.
企業(yè)簡稱

SHENZHENSLS【三聯(lián)盛科技股份】

中文名稱

深圳市三聯(lián)盛科技股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-3-20 20:00:00
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晶體管資料

  • 型號：

    MMBTH10

  • 別名：

    MMBTH10三極管、MMBTH10晶體管、MMBTH10晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_本級振蕩 （Osc）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0

MMBTH10規(guī)格書詳情

Features:

VFH/UFH transistor;

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTH10

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CHINA
23+
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3000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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全新原廠原裝，進口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div>
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