MMBTH10LT1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

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1+	面議

廠家型號：
MMBTH10LT1G
產品分類：
芯片
生產廠商：
ONSEMI
庫存數量：
55740
產品封裝：
SOT-23
生產批號：
2025+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-3-31 9:10:00

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詳細信息
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原廠料號：MMBTH10LT1G品牌：ONSEMI

MMBTH10LT1G是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ONSEMI/onsemi生產封裝SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10LT1G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
MMBTH10LT1G
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內容頁數：
6 頁
文件大小：
52.24 kb
資料說明：
VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MMBTH10LT1G
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
頻率 - 躍遷：
650MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應商

企業(yè)：
深圳市亞泰盈科電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
許小姐
手機：
18902849575
詢價：
電話：
0755-83759959-806/18902849575
傳真：
0755-83759919
地址：
深圳市福田區(qū)深南中路3006佳和大廈B座1410-1411

MMBTH10LT1G 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導體

MMBTH10LT1G

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