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MMBTH81分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH81
廠商型號(hào)

MMBTH81

參數(shù)屬性

MMBTH81 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3

功能描述

PNP RF Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

721.37 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-6 23:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MMBTH81

  • 別名:

    MMBTH81三極管、MMBTH81晶體管、MMBTH81晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_寬頻帶放大 (A)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號(hào):

    3CG122E,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    NO

  • vtest:

    20

  • htest:

    999900

  • atest:

    0

  • wtest:

    0.3

MMBTH81規(guī)格書詳情

PNP RF Transistor

This device is designed for general RF amplifier and mixer

applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA

to 30 mA range. Sourced from Process 75.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBTH81

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 頻率 - 躍遷:

    600MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
SOT-23(TO-236)
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ON/安森美
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SOT-23(SOT-23-3)
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