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MMD60R1K0RFZ

600V 1.0? N-channel MOSFET

?Description MMD60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMD60R1K0RFZRH

Marking：60R1K0RFZ；Package：TO-252；600V 1.0? N-channel MOSFET

?Description MMD60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

IIPD60R1K0CE

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R1K0CE

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA60R1K0CE

600VCoolMOS??CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPD60R1K0CE

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPD60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easytouse/drive ?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforstandardgradeapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPN60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPS60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多MMD60R1K0RFZ供應(yīng)商 更新時間2025-5-17 9:50:00

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