MMRF1007H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
![MMRF1007H](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
MMRF1007H |
參數(shù)屬性 | MMRF1007H 封裝/外殼為NI-1230-4S;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
封裝外殼 | NI-1230-4S |
文件大小 |
855.42 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
17 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-12 8:24:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MMRF1007HSR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類(lèi)型:
LDMOS(雙)
- 頻率:
1.03GHz
- 增益:
20dB
- 功率 - 輸出:
1000W
- 封裝/外殼:
NI-1230-4S
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-1230-4S
- 描述:
FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. |
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