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MMDF1N05E

PowerMOSFET2A,50V,N-ChannelSO-8,Dual

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain?to?sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF1N05E

PowerMOSFET1Amp,50VoltsN-ChannelSO-8,Dual

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF1N05E

DUALTMOSMOSFET50VOLTS1.5AMPERERDS(on)=0.30OHM

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors MiniMOS?devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofw

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MVDF1N05E

PowerMOSFET2A,50V,N-ChannelSO-8,Dual

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain?to?sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多MRB1N05供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-6 17:21:00

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