MRF1511N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF1511N |
| 參數(shù)屬性 | MRF1511N 封裝/外殼為PLD-1.5；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
| 封裝外殼 | PLD-1.5 |
| 文件大小 |
472.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-22 17:58:00 |
| 人工找貨 | MRF1511N價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF1511N規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies to 175 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable FM equipment.
? Specified Performance @ 175 MHz, 7.5 Volts
Output Power — 8 Watts
Power Gain — 13 dB
Efficiency — 70
? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 175 MHz, 2 dB Overdrive
Features
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF1511NT1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
175MHz
- 增益：
13dB
- 額定電流（安培）：
4A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PLD-1.5
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLD-1.5
- 描述：
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
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