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MRF1511NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF1511NT1 |
| 參數(shù)屬性 | MRF1511NT1 封裝/外殼為PLD-1.5；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistor |
| 封裝外殼 | PLD-1.5 |
| 文件大小 |
229.05 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-7 12:34:00 |
| 人工找貨 | MRF1511NT1價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF1511NT1規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistor
N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET
Designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies to 175 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large?signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable FM equipment.
? Specified Performance @ 175 MHz, 7.5 Volts
Output Power — 8 Watts
Power Gain — 11.5 dB
Efficiency — 55
? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 9.5 Vdc, 175 MHz, 2 dB Overdrive
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large?Signal Impedance Parameters
? Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request
? RF Power Plastic Surface Mount Package
? N Suffix Indicates Lead?Free Terminations
? Available in Tape and Reel.
T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF1511NT1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
175MHz
- 增益：
13dB
- 額定電流（安培）：
4A
- 功率 - 輸出：
8W
- 封裝/外殼：
PLD-1.5
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLD-1.5
- 描述：
FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCA |
23+ |
SMD |
8650 |
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NXP |
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