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MRF18030BLR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF18030BLR3
廠商型號

MRF18030BLR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

351.3 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-7 17:21:00

MRF18030BLR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz.

? Typical GSM Performance:

Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency - 50 (Typ) @ 30 Watts

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

Features

? Internally Matched for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Excellent Thermal Stability

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm,13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF18030BLR3

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全稱:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MOTOROLA/摩托羅拉
20+
原裝
67500
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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高頻管
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