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MRF21030LR5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MRF21030LR5 |
參數(shù)屬性 | MRF21030LR5 封裝/外殼為NI-400;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
封裝外殼 | NI-400 |
文件大小 |
716.32 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-28 11:13:00 |
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MRF21030LR5規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2000 to 2200 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN--PCS/cellular radio and WLL applications.
? Wideband CDMA Performance: --45 dB ACPR @ 4.096 MHz, 28 Volts
Output Power — 3.5 Watts
Power Gain — 14 dB
Efficiency — 15
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2110 MHz, 30 Watts CW Output Power
Features
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF21030LR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
2.14GHz
- 增益:
13dB
- 功率 - 輸出:
30W
- 封裝/外殼:
NI-400
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-400
- 描述:
FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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