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MRF3866	文件：59.27 Kbytes Page：4 Pages	HIGH-FREQUENCY TRANSISTORS NPN SILICON TheRFLine NPNSiliconHihg-FrequencyTransistor ?TapeandreelpackagingavailableforMRF3866R2: R2suffix=2,500unitsperreel	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MRF3866	文件：172.11 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforgeneral-purposeRFamplifierapplications,suchas;pre-drivers,Oscillators,etc. Features ?LowCostSO-8PlasticSurfaceMountPackage. ?S-ParameterCharacterization ?TapeandReelPackagingOptionsAvailable ?MaximumAvailableGain=17dB@300MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF3866	文件：126.1 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforgeneral-purposeRFamplifierapplications,suchas;pre-drivers,Oscillators,etc. Features ?LowCostSO-8PlasticSurfaceMountPackage. ?S-ParameterCharacterization ?TapeandReelPackagingOptionsAvailable ?MaximumAvailableGain=17dB@300MHz	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF3866	文件：21.21 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF3866isDesignedforGeneralPurposeAmplifierandOscillatorApplications.	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF3866G	文件：126.1 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforgeneral-purposeRFamplifierapplications,suchas;pre-drivers,Oscillators,etc. Features ?LowCostSO-8PlasticSurfaceMountPackage. ?S-ParameterCharacterization ?TapeandReelPackagingOptionsAvailable ?MaximumAvailableGain=17dB@300MHz	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF3866R1	文件：172.11 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforgeneral-purposeRFamplifierapplications,suchas;pre-drivers,Oscillators,etc. Features ?LowCostSO-8PlasticSurfaceMountPackage. ?S-ParameterCharacterization ?TapeandReelPackagingOptionsAvailable ?MaximumAvailableGain=17dB@300MHz	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
RF3866	文件：150.45 Kbytes Page：6 Pages	WIDEBANDWIDTH,HIGHLINEARITYLOWNOISEAMPLIFIER/LINEARDRIVER ProductDescription TheRF3866isalownoiseamplifierwithahighoutputIP3.Theamplifierisself-biasedfromasinglevoltagesupplywith50Ωinputandoutputports.Theusefulfrequencyrangeisfrom700MHzto3800MHz.A0.8dBnoisefigureand36dBmOIP3performanceisachievedwitha5VVD	RFMD RF Micro Devices	RFMD
SD3866A	文件：31.32 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C3866AGeometry1007PolarityNPN Chiptype2C3866AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforamplifier,frequencymultiplierandoscillatorapplications.Suitableforoutput,driverandpredriverstagesinVHFandUHFequipment. Features:SpecialCharac	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
SD3866AF	文件：31.32 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C3866AGeometry1007PolarityNPN Chiptype2C3866AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforamplifier,frequencymultiplierandoscillatorapplications.Suitableforoutput,driverandpredriverstagesinVHFandUHFequipment. Features:SpecialCharac	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa
SQ3866A	文件：31.32 Kbytes Page：1 Pages	ChipType2C3866AGeometry1007PolarityNPN Chiptype2C3866AbySemicoaSemiconductorsprovidesperformancesimilartothesedevices. ProductSummary: APPLICATIONS:Designedforamplifier,frequencymultiplierandoscillatorapplications.Suitableforoutput,driverandpredriverstagesinVHFandUHFequipment. Features:SpecialCharac	Semicoa Semicoa Semiconductor	Semicoa

詳細參數(shù)

型號：
MRF3866
功能描述：
射頻雙極小信號晶體管 RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶體管極性：
NPN
最大工作頻率：
7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
15 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
2 V
集電極連續(xù)電流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe
最大工作溫度：
+ 150 C
封裝/箱體：
SOT-223
封裝：
Reel

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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