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MRF5S21045NR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF5S21045NR1
廠商型號

MRF5S21045NR1

參數(shù)屬性

MRF5S21045NR1 封裝/外殼為TO-270AB;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

TO-270AB

文件大小

557.3 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-19 17:28:00

MRF5S21045NR1規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical 2-carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 500 mA, Pout = 10 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 14.5 dB

Drain Efficiency — 25.5

IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 5 MHz Offset — -39 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2110 MHz, 45 Watts CW Output Power

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

? 200°C Capable Plastic Package

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF5S21045NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.12GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4

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