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MRF5S21150

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF5S21150HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. ?Typical2-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1300mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF5S21150HSR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications. ?Typical2-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=28Volts,IDQ=1300mA,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF5S21150R3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF5S21150S

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF5S21150SR3

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW–CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cellularr

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF5S21150HR5

Package：NI-880；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF5S21150HSR3

Package：NI-880S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF5S21150HSR5

Package：NI-880S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MRF5S21150

  • 制造商：

    FREESCALE

  • 制造商全稱：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述：

    RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOTOROLA
2020+
SMD
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
FREESCALE
23+
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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MOTOROLA/摩托羅拉
2021+
465B-03
9000
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24+
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5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
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Freescale
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MOTOROLA/摩托羅拉
24+
100
現(xiàn)貨供應(yīng)
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FREESCALE
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
更多MRF5S21150供應(yīng)商 更新時間2025-2-16 13:57:00

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