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MRF6S21060NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S21060NR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S21060NR1

Package:TO-270AB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6S21060NR1_08

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6S21060NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.12GHz

  • 增益:

    15.5dB

  • 功率 - 輸出:

    14W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCALE
2021+
TO-270-2
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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更多MRF6S21060NR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-18 14:00:00