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MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1090MHz,10W,50VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET RFPowertransistordesignedforapplicationsoperatingatfrequenciesbetween960and1400MHz,1to20dutycycle.Thisdeviceissuitableforuseinpulsedapplications. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=50Volts,IDQ=10mA,P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRF6V10010NR4

Package：PLD-1.5；包裝：托盤 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6V10010NR4

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    1.09GHz

  • 增益：

    25dB

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    PLD-1.5

  • 供應商器件封裝：

    PLD-1.5

  • 描述：

    FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
24+
PLD-1.5
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
NXP(恩智浦)
24+
PLD-1
7863
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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Fairchild
24+
7500
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FREESCALE
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更多MRF6V10010NR4供應商 更新時間2025-5-19 10:12:00

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