首頁>MRF6V2010N>規(guī)格書詳情

MRF6V2010N分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6V2010N
廠商型號

MRF6V2010N
參數(shù)屬性

MRF6V2010N 封裝/外殼為TO-272BC；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 110V 220MHZ TO-272-2
功能描述

RF Power Field Effect Transistor
封裝外殼

TO-272BC
文件大小

298.83 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale【飛思卡爾】

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-5-25 11:00:00
人工找貨

MRF6V2010N價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

MRF6V2010N規(guī)格書詳情

10-450 MHz, 10 W, 50 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

Designed primarily for pulsed wideband large - signal output and driver applications with frequencies up to 450 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

? Typical CW Performance at 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 35 mA, Pout = 10 Watts

Power Gain — 25 dB

Drain Efficiency — 64

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 10 Watts CW Output Power

Features

? Integrated ESD Protection

? Excellent Thermal Stability

? Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6V2010NBR5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    220MHz

  • 增益：

    23.9dB

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    TO-272BC

  • 供應商器件封裝：

    TO-272-2

  • 描述：

    FET RF 110V 220MHZ TO-272-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FREESCALE
23+
TO-272-2
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
Freescale(飛思卡爾)
2022+
60000
原廠原裝,假一罰十
 詢價
Freescale
20+
TO272
940
進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價
NXP
22+
TO2722
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Freescale
20+
na
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
24+
N/A
58000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
Fairchild
24+
7500
詢價
FREESCALE
23+
TO270-2
710
正規(guī)渠道,只有原裝!
 詢價
TI
24+
SSOP-48
9382
詢價
Freescale
NA
5500
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價

相關庫存

更多