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MRF6VP2600HR6分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6VP2600HR6
廠商型號

MRF6VP2600HR6

參數(shù)屬性

MRF6VP2600HR6 封裝/外殼為NI-1230;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

NI-1230

文件大小

1.4439 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-22 8:40:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6VP2600HR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    225MHz

  • 增益:

    25dB

  • 功率 - 輸出:

    125W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Freescale
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