MRF8372G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF8372G |
| 參數(shù)屬性 | MRF8372G 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
62.55 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-22 17:51:00 |
| 人工找貨 | MRF8372G價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF8372G規(guī)格書詳情
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the 800 MHz and UHF frequency ranges.
Features
? Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics
? Output Power = 750 mW
? Minimum Gain = 8.0dB
? Efficiency 60 Typical
? Cost Effective SO-8 package
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF8372G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
16V
- 頻率 - 躍遷：
870MHz
- 增益：
8dB ~ 9.5dB
- 功率 - 最大值：
2.2W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOP8 |
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詢價 | |||
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